उत्पत्ति के प्लेस:
वुहान चीन
ब्रांड नाम:
Springtek
प्रमाणन:
ISO9001 RoHS FCC CE
मॉडल संख्या:
एस-SB1G35S3K-सीडी
DDM 3km ऑप्टिकल ट्रांसीवर मॉड्यूल के साथ OEM 1.25G SC SFP संगत ट्रांसीवर BIDI T1310 / R1550nm
आदेश की जानकारी
| भाग संख्या | उत्पाद वर्णन |
| एस-SB1G35S3K-सीडी | BIDI SFP, 1.25Gbps, Tx1310/Rx1550nm, SC, SM, 3km, 0ºC~+70ºC, DDM के साथ |
| एस-SB1G35S3K-आईडी | BIDI SFP, 1.25Gbps, Tx1310/Rx1550nm, SC, SM, 3km, -40ºC~+85ºC, DDM के साथ |
विवरण
स्प्रिंगटेक बीड़ी एसएफपी ट्रांससीवर्स उच्च प्रदर्शन, लागत प्रभावी मॉड्यूल हैं जो एसएमएफ (9/125μm) के साथ 1.25 जीबीपीएस और 3 किमी ट्रांसमिशन दूरी का समर्थन करते हैं।
ट्रांसीवर में दो खंड होते हैं: एक 1310 एनएम एलडी लेजर ट्रांसमीटर, एक ट्रांस-प्रतिबाधा एम्पलीफायर (टीआईए) के साथ एकीकृत एक पिन फोटोडायोड।स्प्रिंगटेक BIDI SFP ट्रांसीवर कक्षा I लेजर सुरक्षा आवश्यकताओं को पूरा करता है।
ट्रांसीवर SFP मल्टी-सोर्स एग्रीमेंट (MSA) और SFF-8472 के साथ संगत है।अधिक जानकारी के लिए कृपया एसएफपी एमएसए देखें।
विशेषताएँ
SONET OC-24 के साथ संगत
ऑपरेटिंग केस तापमान:
वाणिज्यिक: 0 से + 70 डिग्री सेल्सियस
औद्योगिक: -40 से +85 डिग्री सेल्सियस
अनुप्रयोग
स्विच किए गए बैकप्लेन एप्लिकेशन
राउटर / सर्वर इंटरफ़ेस
अधिकतम निरपेक्ष दर - निर्धारण
| पैरामीटर | प्रतीक | मिन | प्रकार | अधिकतम | इकाई |
| बिजली की आपूर्ति की वोल्टेज | वीसीसी | -0.5 | - | 4 | वी |
| स्टोरेज टेंपरेचर रेंज | टीएस | -40 | - | 85 | डिग्री सेल्सियस |
| सापेक्ष आर्द्रता - भंडारण | आरएचएस | 0 | - | 95 | % |
| सापेक्ष आर्द्रता - संचालन | आरएचहे | 0 | - | 85 | % |
सुझाई गई काम करने की स्थितियां
| पैरामीटर | प्रतीक | मिन | प्रकार | अधिकतम | इकाई |
| केस ऑपरेटिंग तापमान रेंज | टीसी | 0 | - | 70 | डिग्री सेल्सियस |
| -40 | - | 85 | |||
| बिजली की आपूर्ति की वोल्टेज | वीप्रतिलिपि | 3.14 | 3.3 | 3.47 | वी |
| बिजली आपूर्ति करें | मैंप्रतिलिपि | - | - | 300 | एमए |
| आधार - सामग्री दर | बीआर | - | 1.25 | - | जीबीपीएस |
विद्युत विशेषताओं
| ट्रांसमीटर विद्युत विशेषताओं | ||||||
| पैरामीटर | प्रतीक | मिन | प्रकार | अधिकतम | इकाई | |
| विभेदक इनपुट वोल्टेज स्विंग | वीमें | 400 | - | 2000 | एमवी | |
| टीएक्स डिफरेंशियल इनपुट इंपेंडेंस | जेडमें | - | 100 | - | Ω | |
| ट्रांसमीटर अक्षम वोल्टेज | वीजिले | 2.0 | - | वीसीसी+0.3 | वी | |
| ट्रांसमीटर वोल्टेज सक्षम करें | वीएन | 0 | - | 0.8 | वी | |
| टीगलतीतर्क उच्च | वीटीएफएच | 2.4 | - | वीसीसी | वी | |
| टीगलतीतर्क कम | वीटीएफएल | वीईई | - | वीईई+0.4 | वी | |
| रिसीवर विद्युत विशेषताओं | ||||||
| पैरामीटर | प्रतीक | मिन | प्रकार | अधिकतम | इकाई | |
| विभेदक आउटपुट वोल्टेज स्विंग | वीबाहर | 400 | - | 1000 | एमवी | |
| आरएक्स डिफरेंशियल आउटपुट इंपेंडेंस | जेडबाहर | - | 100 | - | Ω | |
| लॉस जोर वोल्टेज | वीलोसा | 2.4 | - | वीसीसी | वी | |
| लॉस डी-जोर वोल्टेज | वीलोस्ड | वीईई | - | वीईई+0.4 | वी | |
ऑप्टिकल लक्षण
| ट्रांसमीटर विशेषताएँ | ||||||
| पैरामीटर | प्रतीक | मिन | प्रकार | अधिकतम | इकाई | टिप्पणियाँ |
| लेजर प्रकार | एलडी | |||||
| आधार - सामग्री दर | - | - | 1.25 | - | जीबी/एस | |
| केंद्र तरंग दैर्ध्य रेंज | λ | 1260 | 1310 | 1360 | एनएम | |
| आरएमएस स्पेक्ट्रल चौड़ाई | हाँ | - | - | 4 | एनएम | |
| ऑफ ट्रांसमीटर की औसत लॉन्च पावर | पीबंद | - | - | -40 | डी बी एम | |
| ऑप्टिकल पावर लॉन्च करें | एक प्रकार की मछली | -10 | - | -3 | डी बी एम | 1 |
| विलुप्त होने का अनुपात | एर | 8.2 | - | - | डीबी | |
| नेत्र आरेख | फ़िल्टर किए जाने पर IEEE802.3z आई मास्क का अनुपालन करता है | |||||
| रिसीवर के लक्षण | ||||||
| रिसीवर प्रकार | नत्थी करना | |||||
| आधार - सामग्री दर | - | - | 1.25 | - | जीबी/एस | |
| ऑपरेटिंग सेंट्रल वेवलेंथ | λ | 1500 | 1550 | 1580 | एनएम | |
| रिसीवर संवेदनशीलता | सेन | - | - | -21 | डी बी एम | 2 |
| रिसीवर अधिभार | पीबैठा | -3 | - | - | डी बी एम | |
| लॉस एसर्ट | लोसा | -40 | - | - | डी बी एम | |
| लॉस डी-एसेर्ट | लोस्ड | - | - | -21 | डी बी एम | |
| लॉस हिस्टैरिसीस | लोश | 0.5 | 3 | 5 | डीबी | |
| टिप्पणियाँ | ||||||
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1. IEEE802.3z के अनुसार औसत बिजली के आंकड़े केवल सूचनात्मक हैं 2. 2 के साथ मापा गया7-1 पीआरबीएस@1.25 जीबीपीएस, बीईआर <10-12 |
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